Le laboratoire d’électronique de l’université de Cambridge a annoncé qu’il réduira la consommation des circuits logiques dans les semi-conducteurs organiques. Ce matériel est très utilisé dans les systèmes d’affichage comme les écrans TFT qui remplacent peu à peu les écrans cathodiques classiques.
     L’équipe de chercheurs a découvert que la faible mobilité des électrons dans les semi-conducteurs organiques était due au piégeage des électrons par l’Oxyde de Silicium utilisé comme diélectrique. Le professeur Hening Sirrunghaus du laboratoire des systèmes électroniques s’étonnait que l’on puisse faire des procédés où les porteurs de charge positif, nommés trous, avaient une mobilité raisonnable alors que le même procédé utilisant les mêmes semi-conducteurs et diélectriques ne marchaient pas avec les électrons. Différents designs et systèmes alternatifs ont été élaborés pour améliorer la mobilité des électrons. Cependant en remplaçant le SiO2 par un autre diélectrique de même propriété la mobilité des électrons augmente très fortement. En plus le nouveau diélectrique améliore la stabilité du système électronique.
       Cette découverte ouvre la perspective de pouvoir appliquer les mêmes designs pour des matériaux de type p et n ou d’économiser de l’énergie par un meilleur rendement. On entrevoit l’étendu des applications quand on sait que les semi-conducteurs organiques sont l’un des éléments principaux des écrans Oled que tout portable digne de ce nom possède aujourd’hui.
Sources:ElectronicsWeekly,pressrelease,14/04/05,electronicsweekly.com